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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
100
V GS = 10.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 ? s Pulse Test
4.0V
150 C
3.5V
3.0V
o
25 C
-55 C
10
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
10
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.05
0.1
1
o
10
1
1
2 3 4 5
6
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
100
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
150 C
100
80
o
25 C
60
V GS = 4.5V
10
o
40
V GS = 10V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
20
0
20
40 60
80 100
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
2000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
100
*Note:
1. V GS = 0V
C oss
6
4
10
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)
C rss
2
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
2
0.1
1 10
100 200
0
0
4
*Note: I D = 26A
8 12 16
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD390N15ALZ Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
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